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J-GLOBAL ID：200903030700079440

機械的変形量検出センサ及びそれを用いた加速度センサ、圧力センサ

Inventor：
宮島 久和

About 宮島 久和

, 
荒川 雅夫

About 荒川 雅夫

, 
薮田 明

About 薮田 明

, 
阪井 淳

About 阪井 淳


Applicant, Patent owner：
松下電工株式会社

About 松下電工株式会社


Agent (2)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002211654
Publication number (International publication number)：2004053424
Application date： Jul. 19, 2002
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：
【課題】高感度な機械的変形量検出センサ及びそれを用いた加速度センサ、圧力センサを提供するにある。【解決手段】センサ構造体1はシリコン基板よりなり、裏面側の一部を異方性エッチングして薄肉の受圧部たるダイヤフラム2を有する凹部3を形成している。ガラス製の台座4は凹部3に流体圧力を導入するための圧力導入孔5を設け、センサ構造体1の裏面に接合されている。ダイヤフラム2の両側の周縁部の中央に対応する位置には、ダイヤフラム2の周囲のセンサ構造体1の表面に跨るようにカーボンナノチューブ抵抗素子61,62を設けている。これらカーボンナノチューブ抵抗素子61,62とともに、検出信号取り出し用のブリッジ回路を組む基準用抵抗素子63,64をダイヤフラム2の周囲のセンサ構造体1表面上に配置固定している。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体基板または絶縁基板により形成され、検出対象とする物理量が当該構造体に加わったときにその物理量に起因して変形する変形部と当該変形部を支持する支持部を一体に有したセンサ構造体と、前記変形部の変形に共動して機械的に変形するように前記変形部に配置されたカーボンナノチューブ抵抗素子と、前記センサ構造体上にパターン形成され前記カーボンナノチューブ抵抗素子に接続された配線パターンを備え、 前記配線パターンを介して前記カーボンナノチューブ抵抗素子に電圧印加することにより、前記カーボンナノチューブ抵抗素子の機械的変形に伴う導電率変化を電気信号として取り出すことを特徴とする機械的変形量検出センサ。
IPC (5)：
G01L9/00 ,  B81B3/00 ,  B82B1/00 ,  G01P15/12 ,  H01L29/84
FI (6)：
G01L9/00 303Z ,  B81B3/00 ,  B82B1/00 ,  G01P15/12 Z ,  H01L29/84 A ,  H01L29/84 B
F-Term (24)：
2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE11 ,  2F055FF11 ,  2F055GG11 ,  4M112AA01 ,  4M112AA02 ,  4M112AA06 ,  4M112BA01 ,  4M112CA01 ,  4M112CA21 ,  4M112CA27 ,  4M112DA01 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112DA12 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112EA11 ,  4M112EA13 ,  4M112FA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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