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J-GLOBAL ID：200903020765870298

GaN/AlGaNまたはAlGaN/AlGaN量子井戸構造の形成方法

Inventor： 赤崎 勇 ,  天野 浩 ,  山口 栄雄
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000039811
Publication number (International publication number)：2001230500
Application date： Feb. 14, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：

【要約】【課題】 GaN/AlGaNまたはAlGaN/AlGaN系量子井戸構造の場合、室温での発光効率が極めて悪く、その効率を改善させることが必要であった。【解決手段】 GaN/AlGaNまたはAlGaN/AlGaN量子井戸構造の井戸層の結晶成長において、キャリアガスとして窒素を使用すること、および/またはInを含む物質を同時供給することにより井戸層に圧縮性歪みを付与することにより、量子井戸構造の歪みの大きさおよび/または符号を制御する。これにより、井戸層の厚さをコントロールすることなく、量子井戸構造の結晶性、対称性、光学特性を大幅に改善することができる。

Claim (excerpt)：

MOVPE法により量子井戸構造を形成する方法において、下地GaN層を水素キャリアまたは窒素キャリア中で製作し、GaN/AlGaNまたはAlGaN/AlGaN量子井戸構造の結晶成長において、キャリアを窒素ガスとすることにより量子井戸層に圧縮性歪み(ただし、圧縮性歪みは下地GaNを基準に取る。)を付与することにより歪みの大きさを制御することを特徴とする量子井戸構造の形成方法。

IPC (3)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

F-Term (29)：

5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC15 ,  5F045AD13 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA55 ,  5F045DA69 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB18 ,  5F073DA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-007048   Applicant：松下電器産業株式会社
• 3族窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-209182   Applicant：豊田合成株式会社
• 発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-299219   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 単結晶III-V族化合物半導体層の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-184740   Applicant：ソニー株式会社
• GaN系半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-064360   Applicant：豊田合成株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• MOVPE法によるInをドープしたAl1-xGaxNの結晶成長と評価