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J-GLOBAL ID：200903049981401390

単結晶III-V族化合物半導体層の成長方法

Inventor：
河合 弘治

About 河合 弘治

, 
朝妻 庸紀

About 朝妻 庸紀

, 
船戸 健次

About 船戸 健次


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995184740
Publication number (International publication number)：1997018092
Application date： Jun. 28, 1995
Publication date： Jan. 17, 1997
Summary：
【要約】【目的】 格子定数が大きく異なる下地の窒化物系の単結晶III-V族化合物半導体層上に高品質の窒化物系の単結晶III-V族化合物半導体層を所要の厚さに成長させることを可能とする。【構成】 単結晶のGaN層3上にMOCVD法により、まず560°C程度の低い成長温度でAl0.15Ga0.85Nバッファ層4を成長させた後、その上に例えば1000°Cの成長温度でAl0.15Ga0.85N層5を成長させる。
Claim (excerpt)：
少なくともGaおよびNを含む第1の単結晶III-V族化合物半導体層上にこの第1の単結晶III-V族化合物半導体層と異なる少なくともGaおよびNを含む第2の単結晶III-V族化合物半導体層を気相成長法により成長させるようにした単結晶III-V族化合物半導体層の成長方法において、上記第1の単結晶III-V族化合物半導体層上に上記第2の単結晶III-V族化合物半導体層とほぼ同一の組成を有する非単結晶バッファ層を気相成長法により成長させ、上記非単結晶バッファ層上に上記第2の単結晶III-V族化合物半導体層を気相成長法により成長させるようにしたことを特徴とする単結晶III-V族化合物半導体層の成長方法。
IPC (4)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (4)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (19)
  • 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-079046   Applicant：日亜化学工業株式会社
  • 特開平4-192586
  • 特開平4-192586
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