SOI基板の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：須田正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000323462
Publication number (International publication number)：2002134724
Application date： Oct. 24, 2000
Publication date： May. 10, 2002
Summary：

【要約】【課題】 SOI層中の貫通転位と、SOI層と埋込み酸化層の界面のSOI層中に発生する界面欠陥とを低減し得る。埋込み酸化層表面のラフネスを向上し得る。【解決手段】単結晶シリコン基板中に高濃度の酸素イオンを注入し、酸素イオンを注入した単結晶シリコン基板をアルゴンと酸素の混合ガス雰囲気下、1300〜1420°Cで10〜35時間保持する高温アニール処理を施してシリコンと酸素を反応させてシリコン基板内部に埋込み酸化層を形成するSOI基板の製造方法である。

Claim (excerpt)：

単結晶シリコン基板中に高濃度の酸素イオンを注入し、前記酸素イオンを注入した単結晶シリコン基板を高温アニール処理してシリコンと酸素を反応させてシリコン基板内部に埋込み酸化層を形成するSOI基板の製造方法において、高温アニール処理をアルゴンと酸素の混合ガス雰囲気下、1300〜1420°Cで10〜35時間保持することを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/12 , H01L 21/762

FI (2)：

H01L 27/12 E , H01L 21/76 D

F-Term (4)：

5F032AA91 , 5F032DA53 , 5F032DA60 , 5F032DA74

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体基板とその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-183326 Applicant：キヤノン株式会社
半導体基板及び半導体基板の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-156442 Applicant：キヤノン株式会社
SOI 基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-234415 Applicant：日本電信電話株式会社

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