Pat
J-GLOBAL ID:200903020838636345
磁気抵抗効果膜および強磁性積層構造体
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
山▲崎▼ 薫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001391047
Publication number (International publication number):2003198002
Application date: Dec. 25, 2001
Publication date: Jul. 11, 2003
Summary:
【要約】【課題】 膜厚の減少にも拘わらず確実に一軸磁気異方性を確立することができる強磁性積層構造体を提供する。【解決手段】 磁気抵抗効果膜41は、固定側強磁性層53と、自由側強磁性層57と、固定側強磁性層53および自由側強磁性層57の間に挟み込まれる中間層56とを備える。固定側強磁性層53の磁化方向は反強磁性層52の働きで固定される。自由側強磁性層57は、CoFe合金層57aとCoNiFe合金層57bとで構成される。自由側強磁性層57の膜厚の減少にも拘わらずCoNiFe合金層57bの働きで自由側強磁性層57の一軸磁気異方性は確実に確立される。磁気抵抗効果膜41の抵抗変化量は増大する。こうして磁気抵抗効果読み取り素子では再生出力の増大は実現される。
Claim (excerpt):
固定側強磁性層と、コバルトニッケル鉄合金層およびコバルト鉄合金層で構成される自由側強磁性層と、固定側強磁性層および自由側強磁性層の間に挟み込まれる中間層と、固定側強磁性層に張り合わせられる磁化方向拘束層とを備えることを特徴とする磁気抵抗効果膜。
IPC (6):
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/32
, H01L 43/10
FI (6):
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/32
, H01L 43/10
, G01R 33/06 R
F-Term (14):
2G017AA10
, 2G017AD54
, 5D034BA03
, 5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034CA06
, 5D034CA08
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AC00
, 5E049AC05
, 5E049CB01
, 5E049DB12
Patent cited by the Patent:
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