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J-GLOBAL ID:200903025487145317

磁気抵抗効果素子とその製造方法、磁気抵抗効果型ヘッド、磁気記録装置、磁気抵抗効果メモリ素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山本 秀策
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000057908
Publication number (International publication number):2001237471
Application date: Mar. 02, 2000
Publication date: Aug. 31, 2001
Summary:
【要約】【課題】 熱的安定性と高MR比とを有する磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 磁気抵抗効果素子は、外部磁界により容易に磁化回転する自由層と、第1非磁性層と、該第1非磁性層に対して該自由層の反対側に設けられ、該外部磁界により容易には磁化回転しない第1固定層とを含み、該第1固定層と該自由層との少なくとも一方は、該第1非磁性層と接する第1金属磁性膜と、第1酸化物磁性膜とを含む。
Claim (excerpt):
外部磁界により容易に磁化回転する自由層と、第1非磁性層と、該第1非磁性層に対して該自由層の反対側に設けられ、該外部磁界により容易には磁化回転しない第1固定層とを含み、該第1固定層と該自由層との少なくとも一方は、該第1非磁性層と接する第1金属磁性膜と、第1酸化物磁性膜とを含む磁気抵抗効果素子。
IPC (5):
H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/12
FI (5):
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/12
F-Term (16):
5D034BA05 ,  5D034BA08 ,  5D034BB08 ,  5D034BB12 ,  5D034CA08 ,  5D034DA05 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AB02 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049GC02 ,  5E049GC08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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