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J-GLOBAL ID:200903025487145317
磁気抵抗効果素子とその製造方法、磁気抵抗効果型ヘッド、磁気記録装置、磁気抵抗効果メモリ素子
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
山本 秀策
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000057908
Publication number (International publication number):2001237471
Application date: Mar. 02, 2000
Publication date: Aug. 31, 2001
Summary:
【要約】【課題】 熱的安定性と高MR比とを有する磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 磁気抵抗効果素子は、外部磁界により容易に磁化回転する自由層と、第1非磁性層と、該第1非磁性層に対して該自由層の反対側に設けられ、該外部磁界により容易には磁化回転しない第1固定層とを含み、該第1固定層と該自由層との少なくとも一方は、該第1非磁性層と接する第1金属磁性膜と、第1酸化物磁性膜とを含む。
Claim (excerpt):
外部磁界により容易に磁化回転する自由層と、第1非磁性層と、該第1非磁性層に対して該自由層の反対側に設けられ、該外部磁界により容易には磁化回転しない第1固定層とを含み、該第1固定層と該自由層との少なくとも一方は、該第1非磁性層と接する第1金属磁性膜と、第1酸化物磁性膜とを含む磁気抵抗効果素子。
IPC (5):
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/08
, H01F 41/18
, H01L 43/12
FI (5):
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/08
, H01F 41/18
, H01L 43/12
F-Term (16):
5D034BA05
, 5D034BA08
, 5D034BB08
, 5D034BB12
, 5D034CA08
, 5D034DA05
, 5D034DA07
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AB02
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049BA16
, 5E049CB02
, 5E049GC02
, 5E049GC08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果型ヘッド
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-036766
Applicant:松下電器産業株式会社
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磁気抵抗効果素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-155821
Applicant:シャープ株式会社
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磁気抵抗効果素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-196363
Applicant:三洋電機株式会社
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