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J-GLOBAL ID：200903020945294520

歪み半導体結晶の製造方法、これを用いた半導体レーザの製造方法

Inventor： 藤井 宏明
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 畑 泰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997291923
Publication number (International publication number)：1999126945
Application date： Oct. 24, 1997
Publication date： May. 11, 1999
Summary：

【要約】【課題】 理論的な臨界膜厚に近い強歪みMQW活性層を作製することにより、低しきい値化、高出力化、高速変調等、半導体レーザ特性の大幅な性能向上を実現する。【解決手段】 結晶構成原子に比べ、原子半径の十分大きなサーファクタント原子を用いた結晶成長により、歪み半導体結晶を形成する。サーファクタントは結晶成長中の表面エネルギを変化させ、成長種の拡散長を増大する。これにより、結晶中への点欠陥などの導入を防ぎ、歪み緩和なく、強歪みMQW活性層が作製できる。なお、サーファクタント原子は十分大きいため、結晶中に取り込まれず、高品質な歪み半導体結晶が得られる。これにより、高信頼な特性の半導体レーザが実現できる。

Claim (excerpt)：

基板の格子定数とは異なる格子定数を有する薄膜半導体を上下から別の格子定数を有する半導体で挟み込んでなる歪み半導体結晶において、結晶構成原子よりも原子半径の大きな原子を含むサーファクタントを用いた結晶成長方法により作製することを特徴とする歪み半導体結晶の製造方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 歪半導体膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-150487   Applicant：日本電気株式会社
• 結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-034541   Applicant：工業技術院長