磁気電子デバイス及び磁気ヘッド

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：平木祐輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000062425
Publication number (International publication number)：2000323767
Application date： Mar. 07, 2000
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】外部雑音の影響を受けにくい、信号対雑音比が改善された磁気電子デバイス及び磁気再生ヘッドを得る。【解決手段】第1の強磁性領域3、第2の強磁性領域4、第1の強磁性領域と第2の強磁性領域の間に設けられたチャネル領域5を有し、印加磁場に応答する磁気電子デバイス。チャネル領域5は、第1の強磁性領域3を通過する電荷担体が第2の強磁性領域4の方向へ通過する際にそのスピン偏極を維持できるような準一次元チャネルをもたらす構造をとっている。

Claim (excerpt)：

第1の強磁性領域と、第2の強磁性領域と、前記第1の強磁性領域と第2の強磁性領域との間に設けられたチャネル領域とを有し、前記チャネル領域はナノチューブ又はナノチューブの束、あるいはカーボン含有材料あるいはグラファイト層又はダイヤモンド層からなる層を含んでいることを特徴とする磁気電子デバイス。

IPC (6)：

H01L 43/08 , G01R 33/02 , G11B 5/39 , H01F 10/06 , H01L 43/10 , H01F 10/16

FI (6)：

H01L 43/08 Z , G01R 33/02 A , G11B 5/39 , H01F 10/06 , H01L 43/10 , H01F 10/16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

磁性薄膜メモリ素子及び磁性薄膜メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-244991 Applicant：ティーディーケイ株式会社
特開平2-266580
カーボンナノチューブデバイスおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-305512 Applicant：キヤノン株式会社

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