半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997238408
Publication number (International publication number)：1999087262
Application date： Sep. 03, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】薬液を確定した安価なウェット法によりチタンタングステンの加工を可能とした半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板上に生成されたPN接合と、上記半導体基板の表面に形成され、その一部が部分的に除去された絶縁膜と、上記半導体基板及び絶縁膜上に成膜されたチタンタングステンと、上記チタンタングステン上に積層されたアルミニウムと、を具備し、上記チタンタングステン及びアルミニウムによる二層のメタルを選択的にパターン形成し、上記アルミニウムをエッチングし、上記チタンタングステンの加工薬液として、加熱した過酸化水素水を用いて加工することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、上記半導体基板に生成されたPN接合と、上記半導体基板の表面に積層され、その一部が部分的に除去された絶縁膜と、上記半導体基板及び上記絶縁膜上に成膜されたチタンタングステンと、上記チタンタングステン上に積層されたアルミニウムと、を具備し、上記チタンタングステン及びアルミニウムによる二層を選択的にパターン形成し、上記アルミニウムをエッチングし、上記チタンタングステンの加工薬液として加熱した過酸化水素水を用いて加工することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/28 , H01L 21/3213

FI (2)：

H01L 21/28 F , H01L 21/88 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭63-305518
特開平3-034319
半導体デバイスのクラックストップ形成方法及び半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-293707 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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