3族窒化物半導体発光素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996188370
Publication number (International publication number)：1998022527
Application date： Jun. 28, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】単一画素で白色発光を得ること。【解決手段】10nmのIn0.20Ga0.80N から成る発光層5に亜鉛とシリコンが1 ×1020/cm3に添加されている。これにより、420nm のバンド端発光と570nm のドナー不純物レベルとアクセプタ不純物レベル間の発光が得られた。単一画素で白色の発光を得ることができる。

Claim (excerpt)：

3族窒化物半導体を用いた発光素子において、色度図上において、互いに、補色関係にある光を発光する発光層を設け、光取り出し面から放射される光を白色光としたことを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 F , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開平4-010666
特開昭54-071590
窒化物半導体発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-229080 Applicant：日亜化学工業株式会社

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Cited by examiner (5)

3族窒化物半導体平面発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-248839 Applicant：豊田合成株式会社
特開平4-010666
特開昭54-071590

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