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J-GLOBAL ID：200903021186398621

ガリウム・インジウム・リン系高電子移動度トランジスタ

Inventor： 土屋 忠厳 ,  坂口 春典
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 平田 忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996051165
Publication number (International publication number)：1997246526
Application date： Mar. 08, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】従来のGaInP系HEMTは、チャネル層を構成するInGaAsのIn組成増には制限があり、そのトランジスタ特性の改善には限界があった。【解決手段】基板1、チャネル層3およびキャリア供給層5を、それぞれGaAs、un型InGaAsおよびn型GaInPによって構成して成るHEMTにおいて、キャリア供給層5を格子定数がGaAsよりも小さく、しかも格子緩和が発生していないn型GaInPによって構成する。より具体的にはGa組成が54%以上のn型GaInPによってキャリア供給層5を形成することによりチャネル層3の膜厚増を可能にし、これによってチャネル層3を構成するInGaAsのIn組成を増やし、トランジスタ特性の向上をはかる。

Claim (excerpt)：

ガリウム・砒素を基板とし、n型ガリウム・インジウム・リンをキャリア供給層とし、インジウム・ガリウム・砒素をチャネル層とする高電子移動度トランジスタにおいて、前記キャリア供給層を格子定数がガリウム・砒素よりも小さく且つ格子緩和が発生していないガリウム・インジウム・リンによって構成したことを特徴とするガリウム・インジウム・リン系高電子移動度トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ヘテロ接合半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-030473   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-032711   Applicant：富士通株式会社
• 特開昭62-208621