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J-GLOBAL ID：200903021298616613

スピントランジスタ

Inventor：
麻谷 崇史

About 麻谷 崇史


Applicant, Patent owner：
TDK株式会社

About TDK株式会社


Agent (3)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  青木 博昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006355360
Publication number (International publication number)：2008166559
Application date： Dec. 28, 2006
Publication date： Jul. 17, 2008
Summary：
【課題】 実用的な電流変化率を得ることが可能なスピントランジスタを提供する。【解決手段】 スピントランジスタ1は、強磁性体からなるソースSと、強磁性体からなるドレインDと、ソースS及びドレインDが設けられ、ソースSにショットキ接触した半導体SMと、半導体SM上にゲート絶縁層GIを介して設けられたゲート電極GEとを備えたスピントランジスタ1において、半導体SMとドレインDとの間にトンネル障壁を構成するトンネル障壁絶縁層TIを介在させている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
強磁性体からなるソースと、 強磁性体からなるドレインと、 前記ソース及び前記ドレインが設けられ、前記ソースにショットキ接触した半導体と、 前記半導体上に直接又はゲート絶縁層を介して設けられたゲート電極と、 を備えたスピントランジスタにおいて、 前記半導体と前記ドレインとの間にトンネル障壁を構成するトンネル障壁絶縁層を介在させたことを特徴とするスピントランジスタ。
IPC (2)：
H01L 29/82 ,  H01L 29/78
FI (2)：
H01L29/82 Z ,  H01L29/78 301J
F-Term (34)：
5F092AA02 ,  5F092AC24 ,  5F092BD03 ,  5F092BD04 ,  5F092BD05 ,  5F092BD13 ,  5F092BD14 ,  5F092BD15 ,  5F092BD20 ,  5F140AC16 ,  5F140BA01 ,  5F140BA07 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BH27 ,  5F140BH33 ,  5F140BH45 ,  5F140BH47 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ30 ,  5F140CA02 ,  5F140CA03 ,  5F140CA04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

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