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J-GLOBAL ID：200903021500634866

シリコン単結晶ウエ-ハおよびシリコン単結晶ウエ-ハの製造方法

Inventor： 玉塚 正郎 ,  小林 徳弘
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999063612
Publication number (International publication number)：2000211995
Application date： Mar. 10, 1999
Publication date： Aug. 02, 2000
Summary：

【要約】【課題】 CZシリコンウエーハにおいて、無欠陥層深さと内部微小欠陥密度の制御範囲を拡大する。【解決手段】 CZ法により窒素をドープして育成されたシリコン単結晶棒から得たシリコンウエーハであって、該シリコンウエーハのゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の無欠陥層深さが2〜12μmであり、かつゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の内部微小欠陥密度が1×108〜2×1010ケ/cm3であるシリコンウエーハ。CZ法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を、窒素濃度、酸素濃度、及び冷却速度を制御しつつ育成し、該シリコン単結晶棒をウエーハに加工するシリコンウエーハの製造方法。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法により窒素をドープして育成されたシリコン単結晶棒をスライスして得たシリコン単結晶ウエーハであって、該シリコン単結晶ウエーハのゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の無欠陥層深さが2〜12μmであり、かつゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の内部微小欠陥密度が1×108〜2×1010ケ/cm3であることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ。

F-Term (12)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077CF05 ,  4G077CF10 ,  4G077EC10 ,  4G077EH09 ,  4G077FE13 ,  4G077FG11 ,  4G077GA06 ,  4G077HA12 ,  4G077PB05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-201762   Applicant：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
• シリコン半導体基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-084916   Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社

Cited by examiner (2)

• 低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-201762   Applicant：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
• シリコン半導体基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-084916   Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社