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J-GLOBAL ID：200903021512343964

硫化亜鉛-酸化ケイ素焼結体ターゲットの製造方法

Inventor： 瀬 戸 康 博 ,  葛 城 成 吾
Applicant, Patent owner： 三井金属鉱業株式会社
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997145214
Publication number (International publication number)：1998338573
Application date： Jun. 03, 1997
Publication date： Dec. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】 安全なホットプレス法により高密度のZnS-SiO2焼結体ターゲットを製造する方法を提供する。【解決手段】 SiO2を10〜30mol%含み、残部がZnSおよび不可避的不純物からなり、密度が3.3g/cc以上である硫化亜鉛-酸化ケイ素焼結体ターゲットの製造方法であって、原料として平均粒径5〜100μm、嵩比重0.5g/cc以上のSiO2を用い、900〜1000°Cの温度で、250kgf/cm2 以上の圧力でホットプレスすることを特徴とする、硫化亜鉛-酸化ケイ素焼結体ターゲットの製造方法。

Claim (excerpt)：

SiO2を10〜30mol%含み、残部がZnSおよび不可避的不純物からなり、密度が3.3g/cc以上である硫化亜鉛-酸化ケイ素焼結体ターゲットの製造方法であって、原料として平均粒径5〜100μm、嵩比重0.5g/cc以上のSiO2を用い、900〜1000°Cの温度でホットプレスすることを特徴とする、硫化亜鉛-酸化ケイ素焼結体ターゲットの製造方法。

IPC (3)：

C04B 35/547 ,  C23C 14/34 ,  G11B 7/26

FI (3)：

C04B 35/00 T ,  C23C 14/34 A ,  G11B 7/26

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光記録保護膜用スパッタリング・ターゲットおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-241148   Applicant：同和鉱業株式会社
• パーティクル発生の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-232855   Applicant：三菱マテリアル株式会社