位相シフトレチクルの製造方法および位相シフター欠陥修正方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：金山聡
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003050719
Publication number (International publication number)：2004258463
Application date： Feb. 27, 2003
Publication date： Sep. 16, 2004
Summary：

【課題】位相シフター欠陥の発生を極力排除した位相シフトレチクルの製造方法、および位相シフター欠陥の種類を問わず、容易な工程で修正することが可能な位相シフトレチクルの位相シフター欠陥修正方法を提供する。【解決手段】位相シフトレチクルの製造方法において、基板上に第1の位相シフト膜を形成する工程と、該位相シフト膜を表面研磨し膜の平坦化および膜内の異物を排出させる工程と、前記研磨した位相シフト膜の上に第1の位相シフト膜と同様な光学的性質を示す第2の位相シフト膜を形成し、前記第1の位相シフト膜のピンホール欠陥を埋める工程と、前記第2の位相シフト膜を表面研磨する工程と、前記第1の位相シフト膜と第2の位相シフト膜を足し合わせた位相シフト膜をパターニングして位相シフターとする工程とを含み、前記第1の位相シフト膜と第2の位相シフト膜を足し合わせた位相シフト膜の位相シフトレチクル使用時の露光光の位相差が180度であることを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

位相シフトレチクルの製造方法において、基板上に第1の位相シフト膜を形成する工程と、該位相シフト膜を表面研磨し膜の平坦化および膜内の異物を排出させる工程と、前記研磨した位相シフト膜の上に第1の位相シフト膜と同様な光学的性質を示す第2の位相シフト膜を形成し、前記第1の位相シフト膜のピンホール欠陥を埋める工程と、前記第2の位相シフト膜を表面研磨する工程と、前記第1の位相シフト膜と第2の位相シフト膜を足し合わせた位相シフト膜をパターニングして位相シフターとする工程とを含み、前記第1の位相シフト膜と第2の位相シフト膜を足し合わせた位相シフト膜の位相シフトレチクル使用時の露光光の位相差が180度であることを特徴とする位相シフトレチクルの製造方法。

IPC (2)：

G03F1/08 , H01L21/027

FI (3)：

G03F1/08 A , G03F1/08 W , H01L21/30 502P

F-Term (2)：

2H095BB03 , 2H095BD33

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

位相推移フォトマスクの位相推移体の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-070246 Applicant：凸版印刷株式会社
位相シフトマスクの洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-301504 Applicant：株式会社日立製作所
位相反転マスクの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-281066 Applicant：三星電子株式会社

Show all

Return to Previous Page