薄膜積層型導電体

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：篠部正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997092828
Publication number (International publication number)：1998275683
Application date： Mar. 28, 1997
Publication date： Oct. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】ヒロックがなく、抵抗の小さな、Al系合金からなる金属薄膜と透明導電性薄膜の積層型導電体を提供する。【解決手段】透明な基板上1の、パターニングされたAlまたはAl系合金からなる金属薄膜である第1の導電体2およびパターニングされた金属酸化物からなる透明導電性薄膜である第2の導電体からなり、第1の導電体は基板側でありその上に第2の導電体が積層されている部分を少なくとも有する薄膜積層型導電体において、前記透明導電性薄膜3aをアモルファス状とする。あるいは、前記第1の導電体を高融点金属からなる金属薄膜により被覆されたAlまたはAl系合金からなる積層膜とする。

Claim (excerpt)：

透明な基板上の、パターニングされたAlまたはAl系合金からなる金属薄膜である第1の導電体およびパターニングされた金属酸化物からなる透明導電性薄膜である第2の導電体からなり、第1の導電体は基板側でありその上に第2の導電体が積層されている部分を少なくとも有する薄膜積層型導電体において、前記透明導電性薄膜はアモルファス状であることを特徴とする薄膜積層型導電体。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

有機エレクトロルミネッセンス素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-111455 Applicant：パイオニア株式会社
導電性透明基材およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-315075 Applicant：出光興産株式会社
薄膜トランジスタアレイ基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-323564 Applicant：松下電器産業株式会社

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