Pat
J-GLOBAL ID：200903021590629220
カーボン配線構造およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006214727
Publication number (International publication number)：2008041954
Application date： Aug. 07, 2006
Publication date： Feb. 21, 2008
Summary：
【課題】LSIに適用されるカーボン配線の構造的安定性を高め、LSIプロセス中の表面平坦化処理との適合性を向上させる。【解決手段】LSI用のカーボン配線構造は、層間絶縁膜を介して位置する第1導体(11)および第2導体(13)と、前記第1導体と第2導体を電気的に接続するカーボン配線(20)とを有し、前記カーボン配線は、前記第1導体と第2導体の間に延びる複数の炭素繊維(21)と、前記炭素繊維の間を充填する樹脂層(22)とを含む。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
層間絶縁膜を介して位置する第1導体および第2導体と、
前記第1導体と第2導体を電気的に接続するカーボン配線と、
を有し、前記カーボン配線は、
前記第1導体と第2導体の間に延びる複数の炭素繊維と、
前記炭素繊維の間を充填する樹脂層と
を含むことを特徴とするカーボン配線構造。
IPC (3)：
H01L 21/768
, H01L 21/285
, H01L 21/28
H01L21/90 A
, H01L21/285 C
, H01L21/28 301Z
4M104BB36
, 4M104DD43
, 4M104DD45
, 5F033HH11
, 5F033JJ00
, 5F033KK11
, 5F033NN00
, 5F033PP06
, 5F033QQ37
, 5F033WW00
, 5F033WW04
Cited by applicant (1)
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半導体装置、及びその作製方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2004-263486
Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
Cited by examiner (1)
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