半導体装置、及びその作製方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004263486
Publication number (International publication number)：2005109465
Application date： Sep. 10, 2004
Publication date： Apr. 21, 2005
Summary：

【課題】本発明は、配線同士の接続の信頼性が高い半導体装置を提供する。また、歩留まり高く半導体装置を作製することが可能な半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】本発明は、ビア、プラグ等のコンタクト孔に形成される導電性部材を極細炭素繊維及び導電膜で形成することを特徴とする。導電膜は、極細炭素繊維の間を充填しており、異なった層上に形成される配線とのコンタクト抵抗を抑制しつつ、信頼性高く接続することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁層を介して形成される第1の導電層及び第2の導電層と、前記第1導電層及び第2の導電層に接続する導電性部材とを有し、前記導電性部材は、極細炭素繊維及び前記極細炭素繊維の間を充填する第3の導電層で形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (9)：

H01L21/768 , B82B1/00 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/786

FI (12)：

H01L21/90 B , B82B1/00 , H01L21/28 301R , H01L21/28 301Z , H01L29/06 601N , H01L29/50 M , H01L21/90 D , H01L29/78 616K , H01L29/78 616V , H01L29/78 301Y , H01L29/78 301X , H01L21/88 M

F-Term (191)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB19 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB23 , 4M104BB25 , 4M104BB30 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD18 , 4M104DD19 , 4M104DD20 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104DD63 , 4M104DD68 , 4M104DD79 , 4M104DD84 , 4M104FF08 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG20 , 4M104HH15 , 4M104HH16 , 5F033GG04 , 5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033JJ00 , 5F033JJ01 , 5F033JJ03 , 5F033JJ07 , 5F033JJ08 , 5F033JJ09 , 5F033JJ11 , 5F033JJ15 , 5F033JJ16 , 5F033JJ18 , 5F033JJ33 , 5F033KK00 , 5F033KK01 , 5F033KK04 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK25 , 5F033KK27 , 5F033LL04 , 5F033NN02 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP03 , 5F033PP06 , 5F033PP12 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ21 , 5F033QQ31 , 5F033QQ34 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ53 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033QQ75 , 5F033QQ83 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR07 , 5F033RR09 , 5F033RR13 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033SS21 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX03 , 5F033XX09 , 5F033XX10 , 5F110AA03 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE23 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL10 , 5F110HL11 , 5F110HL14 , 5F110HL24 , 5F110HL27 , 5F110HM02 , 5F110HM15 , 5F110HM17 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ04 , 5F110QQ14 , 5F110QQ23 , 5F110QQ28 , 5F140AA10 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BA08 , 5F140BA09 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG28 , 5F140BG38 , 5F140BJ00 , 5F140BJ05 , 5F140BJ06 , 5F140BJ11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-195987 Applicant：株式会社日立製作所
半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-182761 Applicant：株式会社日立製作所
集積回路装置及び集積回路装置製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-135322 Applicant：富士通株式会社

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