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J-GLOBAL ID：200903021696535178

反応ガス噴射ヘッド及び薄膜気相成長装置

Inventor： 村上 武司 ,  竹内 則行 ,  篠崎 弘行 ,  塚本 究 ,  福永 由紀夫 ,  本郷 明久
Applicant, Patent owner： 株式会社荏原製作所
Agent (1)： 渡邉 勇 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995168040
Publication number (International publication number)：1996337876
Application date： Jun. 09, 1995
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：

【要約】【目的】 濃度や成分の均一な混合ガスを流量や方向を制御した状態で基板に向けて噴射することができる反応ガス噴射ヘッドを提供する。【構成】 薄膜気相成長装置に用いる反応ガス噴射ヘッド5であって、反応ガスを導入する少なくとも2本以上の反応ガス導入路21a,21bと、この反応ガス導入路から導入された反応ガスを混合するガス混合室26と、このガス混合室26の下流に設けられ、混合ガスを一様な流れに整流して基板11に吹き付けるノズル29とを有する。

Claim (excerpt)：

薄膜気相成長装置に用いる反応ガス噴射ヘッドであって、反応ガスを導入する少なくとも2本以上の反応ガス導入路と、この反応ガス導入路から導入された反応ガスを混合するガス混合室と、このガス混合室の下流に設けられ、混合ガスを一様な流れに整流して基板に吹き付けるノズルとを有することを特徴とする反応ガス噴射ヘッド。

IPC (3)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (3)：

C23C 16/44 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 原料ガス供給装置及びCVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-338807   Applicant：キヤノン株式会社
• 処理装置及びそのクリーニング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-256505   Applicant：東京エレクトロン株式会社

Cited by examiner (2)

• 原料ガス供給装置及びCVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-338807   Applicant：キヤノン株式会社
• 処理装置及びそのクリーニング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-256505   Applicant：東京エレクトロン株式会社