半導体光増幅器及び光増幅装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小林将高
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997355796
Publication number (International publication number)：1999186654
Application date： Dec. 24, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】光通信に用いられる2つの波長1.3μm及び1.5μmの信号光を同時に増幅することができる超広帯域の半導体光増幅器及び光増幅装置を得る。【解決手段】半導体光増幅器の活性領域3を多重量子井戸構成とし、1つの層の層厚及び量子井戸のエネルギーギャップが他の層の層厚及び量子井戸のエネルギーギャップと異なるように形成するとともに活性領域3の両端面に無反射膜4,5を形成する。なお、活性領域3の両端面に窓領域を設け、その外側に無反射膜を形成することにより、光反射率をさらに少なくして広帯域の半導体光増幅器を得る。

Claim (excerpt)：

少なくとも1つの層の層厚および量子井戸のエネルギーギャップが他の層の層厚および量子井戸のエネルギーギャップと異なるように形成された多重量子井戸構造の活性領域(3)と、前記活性領域の両端面に形成された無反射膜(4),(5)とを備えた半導体光増幅器。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開平2-304993
半導体活性素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-186082 Applicant：アンリツ株式会社
半導体光増幅器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-091940 Applicant：アンリツ株式会社

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