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J-GLOBAL ID：200903021890598440

発光素子

Inventor：
山田 元量

About 山田 元量


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998371354
Publication number (International publication number)：2000196142
Application date： Dec. 25, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】ディスプレイ、光通信、照明やOA機器の光源などに利用できる3-5族窒化物半導体を利用した発光素子に係わり、特に、単一層領域から異なる発光スペクトルピークを発光可能な発光素子を提供することにある。【解決手段】p型窒化物半導体とn型窒化物半導体との間に少なくともInとGaを含有する窒化物半導体の発光層101を有する発光素子である。特に、発光層101は単一層内でInの組成比が異なる複数の混晶領域を有する発光素子である。
Claim (excerpt)：
p型窒化物半導体とn型窒化物半導体との間に少なくともInとGaを含有する窒化物半導体の発光層を有する発光素子であって、前記発光層は単一層内でInの組成比が異なる複数の混晶領域を有することを特徴とする発光素子。
F-Term (10)：
5F041AA11 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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