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J-GLOBAL ID:200903021933990942

圧電体薄膜素子、その製造方法、並びにインクジェット式記録ヘッド

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998115093
Publication number (International publication number):1999307832
Application date: Apr. 24, 1998
Publication date: Nov. 05, 1999
Summary:
【要約】【課題】保護膜と基板との密着性が劣化していない圧電体薄膜素子を提供する。【解決手段】 圧電体薄膜素子の基板12のほぼ全面上に保護膜14を形成する。この保護膜上にPZT膜のパターンに従って形成され圧電体薄膜を成長させて成形する際の基礎となる基礎層16とを備え、圧電体薄膜がこの基礎層上に形成されたことを特徴とする。
Claim (excerpt):
圧電体薄膜が基板上に所定のパターンを持って形成され、前記圧電体薄膜に共通電極及び個別電極を介して通電することによって変形を生じさせるようにした圧電体薄膜素子において、前記基板のほぼ全面上に、この基板に直接前記圧電体薄膜が形成されないように当該基板を保護する保護層と、この保護膜上に前記パターンに従って形成され、前記圧電体薄膜を成長させて成形する際の基礎となる基礎層と、を備え、前記圧電体薄膜がこの基礎層上に形成されたことを特徴とする圧電体薄膜素子。
IPC (4):
H01L 41/09 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  H01L 41/22
FI (3):
H01L 41/08 C ,  B41J 3/04 103 A ,  H01L 41/22 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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