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J-GLOBAL ID：200903022076699690

磁性体トンネル接合素子

Inventor： 水島 公一 ,  佐藤 利江
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999092034
Publication number (International publication number)：2000286478
Application date： Mar. 31, 1999
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：

【要約】【課題】 磁性体トンネル接合素子において、電圧依存性を小さくし、MR比を大きくする。【解決手段】 第1の磁性体電極と、第1の磁性体電極上に設けられる絶縁層15と、絶縁層上に設けられる第2の磁性体電極とを具備し、第2の磁性体電極は、鉄、コバルト、またはニッケルを含む、厚さが5nm以下である第1の薄膜13と、貴金属、銅、またはクロムを含む第2の薄膜11との積層構造から構成されている事を特徴とする磁性体トンネル接合素子。

Claim (excerpt)：

第1の磁性体電極と、前記第1の磁性体電極上に設けられる絶縁層と、前記絶縁層上に設けられる第2の磁性体電極とを具備し、前記第2の磁性体電極は、鉄、コバルト、またはニッケルを含む厚さが5nm以下である第1の薄膜と、貴金属、銅、またはクロムを含む第2の薄膜との積層構造から構成されている事を特徴とする磁性体トンネル接合素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/12

FI (3)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/12

F-Term (11)：

5D034BA04 ,  5D034BA09 ,  5D034BA15 ,  5D034BB20 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA10 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049MC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 磁気素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-216984   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気記録再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-026188   Applicant：株式会社日立製作所