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J-GLOBAL ID：200903022076699690

磁性体トンネル接合素子

Inventor：
水島 公一

About 水島 公一

, 
佐藤 利江

About 佐藤 利江


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999092034
Publication number (International publication number)：2000286478
Application date： Mar. 31, 1999
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：
【要約】【課題】 磁性体トンネル接合素子において、電圧依存性を小さくし、MR比を大きくする。【解決手段】 第1の磁性体電極と、第1の磁性体電極上に設けられる絶縁層15と、絶縁層上に設けられる第2の磁性体電極とを具備し、第2の磁性体電極は、鉄、コバルト、またはニッケルを含む、厚さが5nm以下である第1の薄膜13と、貴金属、銅、またはクロムを含む第2の薄膜11との積層構造から構成されている事を特徴とする磁性体トンネル接合素子。
Claim (excerpt)：
第1の磁性体電極と、前記第1の磁性体電極上に設けられる絶縁層と、前記絶縁層上に設けられる第2の磁性体電極とを具備し、前記第2の磁性体電極は、鉄、コバルト、またはニッケルを含む厚さが5nm以下である第1の薄膜と、貴金属、銅、またはクロムを含む第2の薄膜との積層構造から構成されている事を特徴とする磁性体トンネル接合素子。
IPC (3)：
H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/12
FI (3)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/12
F-Term (11)：
5D034BA04 ,  5D034BA09 ,  5D034BA15 ,  5D034BB20 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA10 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049MC01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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