光電子変換器及び製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：富村潔
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997506164
Publication number (International publication number)：1999509687
Application date： Jul. 18, 1996
Publication date： Aug. 24, 1999
Summary：

【要約】本発明による光電子変換器は放射を送信及び/又は受信する半導体デバイス(9)を含み、この半導体デバイス(9)はその放射出射面もしくは入射面(10)が支持板(1)に向くようにこの支持板(1)上に固定されている。支持板(1)は放射を透過させる材料から構成されている。この支持板(1)上にはさらに放射集束手段、例えば集光レンズ(3)又は回折光学素子が配置されている。この光電子変換器は特に反射損失が少なく、取付けが簡単である点で優れている。多数のこのような変換器はユニットとして作られ、引き続いて個別化することができる。

Claim (excerpt)：

放射を送信及び/又は受信する半導体デバイス(9)の放射出射面もしくは入射面(10)が支持板(1)に向くように半導体デバイス(9)が支持板(1)上に固定され、支持板(1)は送信及び/又は受信される放射を透過させ、半導体デバイス(9)によって送信もしくは受信される放射を集束させる放射集束手段(3、27)が設けられている光電子変換器において、放射集束手段(3、27)は支持板(1)と共に一体に形成されていることを特徴とする光電子変換器。

IPC (2)：

H01L 31/02 , H01L 33/00

FI (2)：

H01L 31/02 B , H01L 33/00 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-201488
半導体発光素子の評価装置及び評価方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-093752 Applicant：三菱電機株式会社
特表平6-503683

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