半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：安富耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996139206
Publication number (International publication number)：1997321310
Application date： May. 31, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】 p-SiTFTLCDのp-Siを形成するレーザーアニールにおいて、照射領域の強度の不均一に起因したトランジスタ特性の悪化を防止する。【解決手段】エッジラインが被処理基板の垂直あるいは水平方向に対して45°の方向S1,S2になるようにラインビームを照射することで、ラインビームの強度のばらつきによりグレイサイズが十分に大きくならなかった線状の結晶化不良領域R'がソース・ドレインS,Dを結ぶキャリア移動経路を45°の角度で通過することになる。結晶化不良領域R'がソース・ドレインのコンタクトCT間を完全に分断することがなくなり、結晶化不良領域R'を通過すること無くコンタクトCT間を結ぶ電荷移動経路CPが確保され、ON電流の減少が防がれる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された多結晶半導体膜の状島層と、前記多結晶半導体膜の島状層中のチャンネル領域に絶縁膜を介して重畳配置されたゲート電極と、前記多結晶半導体膜の島状層中のチャンネル領域を挟むように位置するソース領域及びドレイン領域に各々接続されたソース電極及びドレイン電極を有し、前記多結晶半導体膜は、基板上に形成された非晶質半導体膜にレーザービームを照射することにより多結晶化して得られる半導体装置の製造方法において、前記レーザービームは、被照射領域のエッジラインが、前記チャンネル領域のチャンネル長方向あるいはチャンネル幅方向のいずれとも、非直角をなすように照射されることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500

FI (3)：

H01L 29/78 627 G , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 617 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-137418 Applicant：シャープ株式会社
レーザーアニール法及び液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-009369 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平2-176726

Show all

Return to Previous Page