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J-GLOBAL ID:200903022319963579
保護素子及びその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
田治米 登 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994323559
Publication number (International publication number):1996161990
Application date: Nov. 30, 1994
Publication date: Jun. 21, 1996
Summary:
【要約】【目的】 過電圧を防止することができると共に、安全性に優れた保護素子を得る。また、チップ型の保護素子を小型化させる。【構成】 保護素子1aを、無機系基板2上に配設した無機系材料からなる発熱体3、該発熱体の表面を覆う絶縁層4、及び該絶縁層上に配設した低融点金属体5から構成する。この保護素子1aは、ツエナダイオードを用いた電圧検知手段と組み合わせて使用し、電圧検知手段が所定電圧以上の電圧を検知することにより保護素子1aの発熱体3が通電され発熱するようにすることにより、過電圧防止装置を構成する。
Claim (excerpt):
無機系基板上に配設された無機系材料からなる発熱体、該発熱体の表面を覆う絶縁層、及び該絶縁層上に配設された低融点金属体からなることを特徴とする保護素子。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
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特開昭59-011695
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熱溶断ヒユーズ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-333688
Applicant:コーア株式会社
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特開平2-244531
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特開平3-046726
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特開昭59-087736
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特開昭63-223608
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特開昭63-185002
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特開昭51-049454
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特開平4-328279
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過電圧防止素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-258471
Applicant:岡谷電機産業株式会社
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マルチプロセッサ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-209207
Applicant:セイコーエプソン株式会社
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