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J-GLOBAL ID：200903022322400704

半導体回路の作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  寺本 聡
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999222913
Publication number (International publication number)：2000077674
Application date： Aug. 31, 1994
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】薄膜トランジスタ(TFT)の回路において、低リーク電流のTFTと高速動作が可能なTFTを有する半導体回路およびそのような回路を作製するための方法を提供する。【解決手段】絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形成する工程と、前記非晶質珪素膜の第1の部分に選択的に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、前記非晶質珪素の第2の部分には前記金属元素を導入しない工程と、前記非晶質珪素膜にレーザー光を照射しながら、450〜700°Cに加熱する工程と、前記第1の部分に周辺回路を形成する工程と、前記第2の部分にアクティブマトリクス回路を形成する工程とを有することを特徴とする半導体回路の作製方法である。

Claim (excerpt)：

絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形成する工程と、前記非晶質珪素膜の第1の領域に選択的に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、前記非晶質珪素膜の第2の領域には前記金属元素を導入しない工程と、前記非晶質珪素膜にレーザー光を照射しながら、450°C〜700°Cに加熱する工程と、前記第1の領域に周辺回路を形成する工程と、前記第2の領域にアクティブマトリクス回路を形成する工程とを有することを特徴とする半導体回路の作製方法。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1365 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/336

FI (5)：

H01L 29/78 612 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 627 G