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J-GLOBAL ID:200903022326990964

透明導電膜及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994310452
Publication number (International publication number):1996167479
Application date: Dec. 14, 1994
Publication date: Jun. 25, 1996
Summary:
【要約】【目的】平滑性、透明性、表面の仕事関数が高く、低抵抗な透明導電膜及びその製造方法を提供すること。【構成】1〜100°Cの基板温度でX線回折的に非晶質なまたは微結晶からなる非晶質に近いITO薄膜を、減圧下または非酸化性下100〜500°Cでアニールした後、酸化性雰囲気下100〜500°Cでアニールするか、フラズマ照射するかして、表面の高低差を1〜10nmにし、表面の仕事関数を5.1〜6.0eVに高める。
Claim (excerpt):
表面高低差が1μm平方の範囲で1nm〜10nm、表面の仕事関数が5.1〜6.0eV、表面抵抗率が3〜50Ω/□、基板を含めた450〜800nmにおける可視光透過率が75〜90%であることを特徴とする透明導電膜。
IPC (4):
H05B 33/28 ,  C23C 14/08 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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