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J-GLOBAL ID：200903022326990964

透明導電膜及びその製造方法

Inventor： 伊藤 祐一
Applicant, Patent owner： 凸版印刷株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994310452
Publication number (International publication number)：1996167479
Application date： Dec. 14, 1994
Publication date： Jun. 25, 1996
Summary：

【要約】【目的】平滑性、透明性、表面の仕事関数が高く、低抵抗な透明導電膜及びその製造方法を提供すること。【構成】1〜100°Cの基板温度でX線回折的に非晶質なまたは微結晶からなる非晶質に近いITO薄膜を、減圧下または非酸化性下100〜500°Cでアニールした後、酸化性雰囲気下100〜500°Cでアニールするか、フラズマ照射するかして、表面の高低差を1〜10nmにし、表面の仕事関数を5.1〜6.0eVに高める。

Claim (excerpt)：

表面高低差が1μm平方の範囲で1nm〜10nm、表面の仕事関数が5.1〜6.0eV、表面抵抗率が3〜50Ω/□、基板を含めた450〜800nmにおける可視光透過率が75〜90%であることを特徴とする透明導電膜。

IPC (4)：

H05B 33/28 ,  C23C 14/08 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平1-175118
  
• 有機エレクトロルミネッセンス素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-303841   Applicant：パイオニア株式会社
• 有機エレクトロルミネッセンス素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-158101   Applicant：パイオニア株式会社
• 特開平4-014795
  
• 有機電界発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-236064   Applicant：電気化学工業株式会社
• 透明導電膜の熱処理方法および透明導電膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-305973   Applicant：株式会社東芝