半導体記憶装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：佐藤隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997307714
Publication number (International publication number)：1999144465
Application date： Nov. 10, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】オーバードライブ方式の外部電源電圧から内部電源電圧へ電源を切り替える際、切り替え直後の電源レベルの低下を極力抑える。【解決手段】外部電源電圧VDDから内部電源電圧VDLへの切り替えに先立って、VDL線をVDLより高い電圧に予め昇圧しておき、切り替え後に降下したVDL線電圧をVDLまで回復させる電圧生成回路VG0がVDL線に接続されている。より具体的には、VDL線電位を検出する検出回路部40と、VDL線とVDD線との間に接続され、検出回路部40の検出結果に応じて動作する第1のスイッチング素子M1と、検出回路部40および第1のスイッチング素子M1間の接続ノードND1と、共通電圧VSSとの間に接続され、入力される予備昇圧信号MVDLに応じて導通して接続ノードND1の電位を変化させ、これにより第1のスイッチング素子M1を一定期間導通させる第2のスイッチング素子M2とを有する。

Claim (excerpt)：

センスアンプの初期起動を外部電源電圧で行った後、当該センスアンプの駆動線に接続される電源電圧供給線を前記外部電源電圧の供給線から内部電源電圧の供給線に切り替えてデータの読み出しを行う半導体記憶装置であって、前記切り替えに先立って、前記内部電源電圧の供給線電圧を定常電圧より高い電圧に予め昇圧しておき、切り替え後に降下した前記供給線電圧を前記定常電圧まで回復させる電圧生成回路が、前記内部電源電圧の供給線に接続されている半導体記憶装置。

IPC (7)：

G11C 11/409 , G11C 11/419 , G11C 11/413 , G11C 11/407 , G11C 11/401 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (6)：

G11C 11/34 353 E , G11C 11/34 311 , G11C 11/34 335 A , G11C 11/34 354 F , G11C 11/34 371 K , H01L 27/10 681 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体装置および電源電圧発生回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-130902 Applicant：三菱電機株式会社
半導体メモリ、回路のデータ信号を所望のレベルへ駆動するための装置、第1および第2の信号を所望のレベルへ駆動するための回路、ダイナミックランダムアクセスメモリ構造、データ信号を所望のレベルへ駆動する方法、および第1および第2の信号を所望のレベルへ駆動する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-321223 Applicant：株式会社日立製作所, テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
電源電圧降圧回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-314544 Applicant：シャープ株式会社

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