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J-GLOBAL ID：200903022336651050

ダイヤモンド半導体整流素子

Inventor： 宮田 浩一
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995118543
Publication number (International publication number)：1996316498
Application date： May. 17, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 順方向の立ち上がり電圧が低く且つ順方向での抵抗が低い整流特性を有するダイヤモンド整流素子及びその製造方法を提供する。【構成】 低抵抗シリコン基板10上に、Bドープp型ダイヤモンド層1を形成し、この上に、選択成長技術により電極面積より若干大きいアンドープ絶縁性(真性)ダイヤモンド層2を積層させる。その表面の電極積層予定領域の一部を酸化し、それ以外の表面を水素化する。その後、電気陰性度が低い金属を水素化及び酸化したアンドープ絶縁性ダイヤモンド2の上にまたがるように蒸着して金属電極4を形成する。酸化したアンドープ絶縁性ダイヤモンド層2の表面上の金属電極4により、金属電極/真性半導体ダイヤモンド/半導体ダイヤモンド接合を形成できる。アンドープ絶縁性ダイヤモンド層2表面の水素化したダイヤモンドはp型の表面伝導層3となり、この表面伝導層3は金属電極4との間で、ショットキー接合を形成する。

Claim (excerpt)：

第1金属電極と第1半導体ダイヤモンド領域との第1接合部と、第2金属電極と真性半導体ダイヤモンド領域と第2半導体ダイヤモンド領域との第2接合部とを並列に接続した構造を有することを特徴とするダイヤモンド半導体整流素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭53-053270
  
• 多結晶ダイヤモンド半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-017521   Applicant：出光石油化学株式会社
• ダイヤモンド整流素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-315586   Applicant：株式会社神戸製鋼所, コウベ・スチール・ユーエスエイ・インコーポレイテッド