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J-GLOBAL ID：200903022354207230

2枚のウェハのアセンブリによって得られる構造体をトリミングする方法

Inventor： マルク・ズシー ,  ベルナルド・アスパル ,  クリステル・ラガエ-ブランシャール ,  ウベール・モリソー
Applicant, Patent owner： コミツサリア タ レネルジー アトミーク ,  トラシー・テクノロジ
Agent (4)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007548879
Publication number (International publication number)：2008526038
Application date： Dec. 22, 2005
Publication date： Jul. 17, 2008
Summary：

本発明は、第1の平板を第2の平板に接触面において固定し、第1の平板を薄化することによって得られた構造体をトリムする方法に関し、第1の平板と第2の平板との少なくとも一方は面取りされ、よって第1の平板の接触面の端部を露出し、前記トリミングは第1の平板に関している。この方法は、a)ステップb)を行うことを可能とするために、第1の平板との関係において、ステップb)で予定されている化学的侵食に対する耐性を十分に有する平板から第2の平板を選択するステップと、b)第2の平板に第1の平板を固定した後に、第1の平板の端部の化学的侵食を行い、第2の平板の接触面の上に全体的に載置されているとともに、第1の平板の残りの部分を支持しているペデスタルを第1の平板に形成するステップと、c)ペデスタルにちょうど到達し、ペデスタルの中に入り込むまで第1の平板を薄化して、第1の平板の薄化された部分を設けるステップと、を備えている。

Claim (excerpt)：

第1のウェハ(11、21、31、41)を接触面によって第2のウェハ(12、22、32、42)上に結合し、前記第1のウェハを薄化することによって得られる構造体をトリミングする方法において、 前記第1のウェハ又は前記第2のウェハの少なくともどちらかは面取りされ、よって前記第1のウェハの前記接触面の端部を露出させ、 前記トリミングは前記第1のウェハに関している方法であって、 前記方法は、 a)ステップb)を行うことを可能とするために、前記第1のウェハ(11、21、31、41)に対して十分な、ステップb)において計画された化学的侵食に対する耐性を有するウェハの中から前記第2のウェハを選択するステップと、 b)前記第2のウェハに前記第1のウェハを結合した後に、前記第1のウェハの端部の化学的侵食を行い、前記第2のウェハの接触面の上に全体的に載置されているとともに、前記第1のウェハの残りの部分を支持するペデスタルを前記第1のウェハに形成するステップと、 c)前記ペデスタルにちょうど到達し、侵食するまで前記第1のウェハを薄化して前記第1のウェハの薄化された部分を提供するステップと、 を備えることを特徴とする方法。

IPC (2)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12

FI (2)：

H01L21/02 B ,  H01L27/12 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 貼り合わせSOI基板の製造方法及びこれに用いる保護剤塗布装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-226277   Applicant：住友シチックス株式会社
• 国際公開第96/17377号パンフレット
  

Cited by examiner (2)

• 半導体基板とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-024100   Applicant：キヤノン株式会社
• 半導体部材の製造方法及び太陽電池の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-099010   Applicant：キヤノン株式会社