Pat
J-GLOBAL ID：200903022384271110
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999226502
Publication number (International publication number)：2001053218
Application date： Aug. 10, 1999
Publication date： Feb. 23, 2001
Summary：
【要約】【課題】複数の半導体チップを積み重ねて実装するための電極のサイズ小さくできると共に、電極間のピッチを狭くでき、多数の信号入出力が要求される場合にも充分に対応できる半導体装置を提供することを目的としている。【解決手段】半導体基板11に形成された貫通孔12内に、この半導体基板の裏面側に突出された絶縁膜13を形成するとともに、この貫通孔内に半導体基板の裏面側で且つ前記絶縁膜よりも突出された突起部14Aを有する電極14を埋め込み形成したことを特徴としている。半導体基板の裏面側に突出した導電性電極材料をバンプの一部として利用することができるので、電極のサイズ小さくできると共に、電極間のピッチを狭くでき、多数の信号入出力が要求される場合にも対応できる。
Claim (excerpt)：
貫通孔を有する半導体基板と、前記貫通孔内の前記半導体基板に形成され、前記半導体基板の裏面側に突出された絶縁膜と、前記貫通孔内に埋め込み形成され、前記半導体基板の裏面側で且つ前記絶縁膜よりも突出された突起部を有する電極とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 21/60 311
H01L 25/08 B
, H01L 21/60 311 Q
5F044KK01
, 5F044LL01
, 5F044QQ02
, 5F044QQ04
, 5F044RR03
