化合物半導体基板の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：久保山隆 , 中山亨 , 榎本雅之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003365736
Publication number (International publication number)：2005129825
Application date： Oct. 27, 2003
Publication date： May. 19, 2005
Summary：

【課題】放熱性に優れる化合物半導体基板を、従来より簡便に製造する方法を提供する。【解決手段】次の工程を含むことを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。(ア)元基板上に化合物半導体機能層をエピタキシャル成長させて得られた化合物半導体層基板のエピタキシャル成長面に支持基板を仮接着する工程。(イ)該元基板の全部および該元基板近傍の該化合物半導体機能層の一部を研磨により除去する工程。(ウ)該化合物半導体層基板の工程(イ)により露出した化合物半導体機能層に、熱伝導度が該元基板より大きい物質からなる高熱伝導基板を接着する工程。(エ)エピタキシャル成長面に仮接着された該支持基板を分離除去する工程。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

次の工程を含むことを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。 (ア)元基板上に化合物半導体機能層をエピタキシャル成長させて得られた化合物半導体層基板のエピタキシャル成長面に支持基板を仮接着する工程。 (イ)該元基板の全部および該元基板近傍の該化合物半導体機能層の一部を研磨により除去する工程。 (ウ)該化合物半導体層基板の工程(イ)により露出した化合物半導体機能層に、熱伝導度が該元基板より大きい物質からなる高熱伝導基板を接着する工程。 (エ)エピタキシャル成長面に仮接着された該支持基板を分離除去する工程。

IPC (2)：

H01L21/331 , H01L29/737

FI (1)：

H01L29/72 H

F-Term (10)：

5F003AZ03 , 5F003AZ07 , 5F003BA92 , 5F003BE01 , 5F003BF06 , 5F003BH05 , 5F003BH08 , 5F003BH99 , 5F003BM02 , 5F003BP36

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-230747 Applicant：日本電気株式会社

Cited by examiner (5)

複合型半導体積層構造の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-133044 Applicant：日本電気株式会社
面発光型半導体レーザ装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-263080 Applicant：古河電気工業株式会社
電子装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-012396 Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ

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