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J-GLOBAL ID：200903022538168865
窒化物半導体発光素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999340039
Publication number (International publication number)：2001156331
Application date： Nov. 30, 1999
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：
【要約】【課題】窒化物半導体を利用した発光素子に関わり、特に発光効率を高めより高輝度に発光可能な窒化物半導体発光素子を提供するものである。【解決手段】少なくともGaを含む窒化物半導体が基板上にp型及びn型に積層された有する発光素子である。特に、窒化物半導体層は同一成膜基板上で電気的に複数分離してなり、それぞれの窒化物半導体層が導電性ワイヤで電気的に接続されている窒化物半導体発光素子である。
Claim (excerpt)：
基板上にp型及びn型に積層された少なくともGaを含む窒化物半導体を有する発光素子であって、前記p型及びn型に積層された少なくともGaを含む窒化物半導体層は同一成膜基板上で電気的に複数分離してなり、それぞれ分離された個々の窒化物半導体層の電極を導電性ワイヤで電気的に直列及び/又は並列に接続されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
F-Term (6)：
5F041AA03
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CB25
, 5F041DA07
Cited by examiner (2)
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3族窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-281512
Applicant：豊田合成株式会社
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LEDモノリシツクドツトマトリツクスの製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平3-355498
Applicant：三洋電機株式会社
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