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J-GLOBAL ID：200903022749137974
CPP構造磁気抵抗効果素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山▲崎▼ 薫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002003460
Publication number (International publication number)：2003204094
Application date： Jan. 10, 2002
Publication date： Jul. 18, 2003
Summary：
【要約】【課題】 少ない積層数で確実に大きな抵抗変化量を得ることができるCPP構造磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 CPP構造磁気抵抗効果(MR)素子はスピンバルブ膜43を備える。スピンバルブ膜43では、非磁性中間層55を構成する導電層55a、55bの間に境界面BRが規定される。境界面BRに沿って磁性金属物質56および絶縁性物質57は分布する。センス電流の通り道は絶縁性物質57の働きで狭められる。こうしたCPP構造磁気抵抗効果素子では、自由側強磁性層58で確立される磁化方向の反転に応じて大きな抵抗変化量が実現されることができる。小さな電流値のセンス電流で十分なレベルの電圧変化は検出される。このCPP構造MR素子は磁気記録の一層の高密度化や消費電力の低減に大いに貢献することができる。
Claim (excerpt)：
自由側強磁性層と、固定側強磁性層と、自由側強磁性層および固定側強磁性層の間に挟み込まれて、複数の導電層から構成される非磁性中間層と、少なくとも1対の導電層同士の間に規定される境界面に沿って分布する絶縁性物質とを備えることを特徴とするCPP構造磁気抵抗効果素子。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (7)：
5D034BA03
, 5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034BA09
, 5D034BA12
, 5D034CA04
, 5D034CA08
Cited by examiner (2)
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強磁性トンネル素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-259938
Applicant：富士通株式会社
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磁性メモリ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-276576
Applicant：日本ビクター株式会社
Article cited by the Patent：
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