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J-GLOBAL ID:200903022944269931
形状特徴に基づく欠陥検出方法及び装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
内原 晋
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000002018
Publication number (International publication number):2000208575
Application date: Jan. 07, 2000
Publication date: Jul. 28, 2000
Summary:
【要約】【課題】 パターン形成ずみの半導体IC基板の欠陥の検出において擬似欠陥の検出を最小化しスループットを上げる。【解決方法】 パターン形成ずみの基板を検出する方法であって、基準画像および被検画像を形成する過程と、前記基準画像から形状特徴を抽出するとともに前記被検画像から形状特徴を抽出する過程と、前記基準画像の形状特徴と前記被検画像の形状特徴とをマッチングする過程と、欠陥を検出するように前記基準画像の形状特徴を前記被検画像の形状特徴と比較する過程とを含む方法を提供する。この発明の実施例には、パターン形成ずみ基板の検査装置、パターン形成ずみ基板の検査用のプロセッサを有するシステムの制御のための命令を含むコンピュータ読取可能な媒体、およびパターン形成ずみ基板の検査システムの制御用のコンピュータ読取可能なプログラムコードを有するコンピュータ利用可能な媒体を含むコンピュータプログラムプロダクトなどがある。画像としては電子ビーム電圧コントラスト画像を用いることができる。
Claim (excerpt):
パターン形成ずみの基板を検出する方法であって、(a)基準画像および被検画像を形成する過程(610)と、(b)前記基準画像から形状特徴を抽出するとともに前記被検画像から形状特徴を抽出する過程(620)と、(c)前記基準画像の形状特徴と前記被検画像の形状特徴とをマッチングする過程(625)と、(d)欠陥を検出するように前記基準画像の形状特徴を前記被検画像の形状特徴と比較する過程(630)とを含む方法。
IPC (5):
H01L 21/66
, G01N 23/225
, G06T 7/00
, H01J 37/22 502
, G01N 13/10
FI (5):
H01L 21/66 J
, G01N 23/225
, H01J 37/22 502 H
, G01N 13/10 E
, G06F 15/62 405 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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配線パターン検査装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-261146
Applicant:松下電器産業株式会社
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パターン検査装置並びに電子線によるパターン検査装置及びその方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-345340
Applicant:株式会社日立製作所
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特開平4-073759
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