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J-GLOBAL ID：200903022974088508

CVD反応及びPECVD反応で反応物ガスの早期混合を防止するための装置並びに方法

Inventor： スタニスラウ コパクズ ,  ダグラス アーサー ウェッブ ,  ガーリット ジャン ロイシンク ,  リーヌ エミール ルブランク ,  マイケル エス.アミーン ,  ジョセフ トッド ヒルマン ,  ロバート エフ.フォスター ,  ロバート クラーク ロウアン ジュニア.
Applicant, Patent owner： トーキョー エレクトロン アリゾナ インコーポレイテッド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998278177
Publication number (International publication number)：1999158633
Application date： Sep. 30, 1998
Publication date： Jun. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】 化学蒸着により基体上にフイルムを蒸着させるCVD反応及びPECVD反応で反応物ガスの早期混合を防止する装置及び方法。【解決手段】 基体を入れる処理空間を中に有する反応室;前記処理空間で化学反応を生じさせ、その中の基体上に蒸着材料フイルムを形成させるために、前記処理空間に第一及び第二反応物ガスを送るガス送り機構;前記処理空間へ反応物ガスを分散させるための前記ガス送り機構に結合したシャワーヘッドで、第一反応物ガスを受けて分散させる働きをする第一空間を中に有し、前記第一ガス分散物から分離して第二反応物ガスを受けて分散する働きをする、前記第一空間から一般に隔離された第二空間を中に有し、反応物ガスの隔離を維持し、それらを処理空間中へ導入する前に、一般に前記ガスの早期混合を防ぐシャワーヘッド;を具えたフイルム蒸着装置。

Claim (excerpt)：

化学蒸着により基体上にフイルムを蒸着させるための装置において、基体を入れるための処理空間を中に有する反応室;前記処理空間で化学反応を生じさせ、その中の基体上に蒸着材料フイルムを形成させるために、前記処理空間に第一及び第二反応物ガスを送るためのガス送り機構;並びに前記処理空間へ反応物ガスを分散させるための、前記ガス送り機構に結合したシャワーヘッドであって、第一反応物ガスを受けて分散させる働きをする第一空間を中に有し、前記第一ガス分散物から分離した第二反応物ガスを受けて分散する働きをする、前記第一空間から一般に隔離された、第二空間を中に有し、反応物ガスの隔離を維持し、前記ガスを前記処理空間中へ導入する前に、一般に前記ガスの早期混合を防ぐシャワーヘッドを具え、前記処理空間へ反応物ガスを入れる前のフイルム材料の蒸着を少なくした、上記蒸着装置。

IPC (2)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/50

FI (2)：

C23C 16/44 D ,  C23C 16/50 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• プラズマCVD装置に用いる電極及びプラズマCVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-187738   Applicant：日新電機株式会社
• 特開平4-313229
  
• 成膜装置および成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-168437   Applicant：株式会社ジーティシー