成膜装置および成膜方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994168437
Publication number (International publication number)：1996035067
Application date： Jul. 20, 1994
Publication date： Feb. 06, 1996
Summary：

【要約】【目的】成膜時の中間生成物の生成を少なくして、基板面内での膜質などのばらつきを低減させ、面内ばらつきの少ない良好な膜を成膜する。【構成】 CVD成膜装置であって、シャワー室17と、シャワー室内17を隔壁で仕切って設けられた隔室10と、シャワー室17に第1のソースガスを供給するシャワー室ガス供給管13と、隔室10に第2のソースガスを供給する隔室ガス供給管12と、基板4に対向し、シャワー室17内のソースガスを基板4に向かって噴き出す多数のシャワー室噴き出し孔27および隔室10内のソースのガスを基板4に向かって噴き出す多数の隔室噴き出し孔11が形成された噴き出し面6aとからなるシャワー6を備えてなり、噴き出し面6a内において、シャワー室噴き出し孔27および隔室噴き出し孔11の少なくとも一方の分布密度が噴き出し面6aの中央部で高く、周辺部で低くなっている。

Claim (excerpt)：

化学気相析出法により基板上に薄膜を成膜する装置であって、シャワー室と、該シャワー室にソースガスを供給するガス供給管と、上記基板に対向し上記シャワー室内のガスを該基板に向かって噴き出す多数の噴き出し孔が形成された噴き出し面とからなるシャワーを備えてなり、上記噴き出し面内における上記噴き出し孔の分布密度が不均一であることを特徴とする成膜装置。

IPC (2)：

C23C 16/44 , C23C 16/50

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特公平4-031023
特開昭62-060875
特開昭62-013573

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