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J-GLOBAL ID：200903022977679221

炭化珪素半導体装置の製造方法

Inventor： 昌原 鎬 ,  大野 俊之 ,  櫛部 光弘 ,  石田 夕起 ,  高橋 徹夫 ,  鈴木 誉也
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社 ,  工業技術院長 ,  株式会社日立製作所 ,  株式会社東芝
Agent (4)： 吉田 研二 (外2名) ,  吉田 研二 (外3名) ,  吉田 研二 (外2名) ,  吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999246629
Publication number (International publication number)：2001077030
Application date： Aug. 31, 1999
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】 SiC基板の水素エッチングにより、基板表面を平坦化させる。【解決手段】 SiC基板10を反応炉1に配置し、水素ガスを導入する。SiC基板10を加熱して水素ガスを導入する。雰囲気圧力を760Torr(1気圧)より小さい減圧下で行うことで、エッチングレートを向上させるとともに基板の研磨傷を除去し、平坦面を得ることができる。

Claim (excerpt)：

水素雰囲気に曝すことにより炭化珪素基板表面をエッチングする工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法であって、前記エッチングする工程を1気圧より小さい減圧雰囲気で行うことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/302 F

F-Term (22)：

5F004AA01 ,  5F004AA11 ,  5F004BA20 ,  5F004BB26 ,  5F004CA04 ,  5F004DA24 ,  5F004DB00 ,  5F004EB08 ,  5F045AB06 ,  5F045AC16 ,  5F045AD18 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045AF12 ,  5F045BB08 ,  5F045BB16 ,  5F045DP03 ,  5F045EK03 ,  5F045HA03 ,  5F045HA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体膜の成長方法及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-060210   Applicant：松下電器産業株式会社
• 酸素に対する炭化ケイ素表面の不活性化方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平8-530628   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト