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J-GLOBAL ID:200903022995133279

位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中村 静男 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997030677
Publication number (International publication number):1997251206
Application date: Dec. 22, 1993
Publication date: Sep. 22, 1997
Summary:
【要約】【課題】 簡単な膜構成により電子線描画時の電荷蓄積や静電気による帯電を防止できるハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びこれを素材としたハーフトーン型位相シフトマスクを提供する。【解決手段】 透明基板上に光半透過膜を有し、この光半透過膜が、遷移金属とケイ素と酸素および/または窒素とを主な構成要素とする膜からなり、かつ前記光半透過膜中にケイ素が15〜80原子%の割合で含有されているハーフトーン型位相シフトマスクブランク、およびこの位相シフトマスクブランクにおける光半透過膜に、光透過部と光半透過部とからなるマスクパターンを形成してなるハーフトーン型位相シフトマスク。
Claim (excerpt):
透明基板上に光半透過膜を有し、この光半透過膜が、遷移金属とケイ素と酸素および/または窒素とを主な構成要素とする膜からなり、かつ前記光半透過膜中にケイ素が15〜80原子%の割合で含有されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
IPC (2):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (3):
G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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