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J-GLOBAL ID:200903023049037711

基板製造方法及び半導体基板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004355857
Publication number (International publication number):2006159360
Application date: Dec. 08, 2004
Publication date: Jun. 22, 2006
Summary:
【課題】 基板表面における割れ、欠け、及びソーマークの発生を抑え、基板表面を平坦にできる基板製造方法、及び半導体基板を提供する。【解決手段】 インゴット3をワイヤ列21に送りながら、インゴット3とワイヤ列21との間に砥液23を供給しつつインゴット3を切削する。このとき、インゴット3の中心軸Oに対し切削開始点D1の反対側に位置するインゴット3の第1の領域3dを切削する際の送り速度の時間平均値を、インゴット3の中心軸Oに対し切削開始点D1側に位置するインゴット3の第2の領域3cを切削する際の送り速度の時間平均値よりも小さくする。これにより、第1の領域3dにおいては、切削箇所への砥液23の供給が比較的少なくても切削抵抗を小さく抑え、滑らかに切削することができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
走行するワイヤ列を用いてインゴットを切断することにより基板を製造する方法であって、 前記インゴット及び前記ワイヤ列のうち少なくとも一方を前記ワイヤ列の走行方向と交差する方向に送りながら、前記インゴットに砥液を供給しつつ前記インゴットを切削することにより前記インゴットを切断する工程を備え、 前記インゴットを切削する際に、前記インゴットの中心軸に対し切削開始点の反対側に位置する前記インゴットの第1の領域を切削する際の送り速度の時間平均値を、前記インゴットの中心軸に対し前記切削開始点側に位置する前記インゴットの第2の領域を切削する際の送り速度の時間平均値よりも小さくすることを特徴とする、基板製造方法。
IPC (3):
B24B 27/06 ,  B28D 5/04 ,  H01L 21/304
FI (4):
B24B27/06 F ,  B24B27/06 E ,  B28D5/04 C ,  H01L21/304 611W
F-Term (15):
3C058AA05 ,  3C058AA07 ,  3C058AA11 ,  3C058AC04 ,  3C058BA02 ,  3C058BA04 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA03 ,  3C058DA17 ,  3C069AA01 ,  3C069BA06 ,  3C069BC03 ,  3C069CA04 ,  3C069EA02
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
  • 半導体棒の切断装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-146778   Applicant:新日本製鐵株式会社
  • マルチワイヤーソー
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平9-064186   Applicant:シャープ株式会社
  • ワイヤソー及び切断方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2001-366517   Applicant:同和鉱業株式会社

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