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J-GLOBAL ID：200903023145037935

ヘテロバイポーラトランジスタおよびSiGeC混晶膜の形成方法

Inventor：
佐久間 芳樹

About 佐久間 芳樹


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000247057
Publication number (International publication number)：2002064105
Application date： Aug. 16, 2000
Publication date： Feb. 28, 2002
Summary：
【要約】【課題】 SiGeC混晶よりなるベース層を含むヘテロバイポーラトランジスタにおいて、ベース層中のGeの組成勾配に起因する格子不整合を緩和し、キャリアのドリフトを促進する。【解決手段】 SiGeC混晶系ベース層において、Geの組成勾配に合わせてCの組成勾配を形成する。
Claim (excerpt)：
基板と、前記基板上に形成されたコレクタ層と、前記コレクタ層上に形成されたベース層と、前記ベース層上に形成されたエミッタ層とよりなるヘテロバイポーラトランジスタであって、前記ベース層はSiGeC系の混晶よりなり、前記ベース層中においてCの濃度が、前記エミッタ層に面する第1の界面から前記コレクタ層に面する第2の界面まで増加することを特徴とするヘテロバイポーラトランジスタ。
IPC (5)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  C30B 29/36 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/165
FI (4)：
C30B 29/36 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/165 ,  H01L 29/72
F-Term (26)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE07 ,  4G077DB01 ,  4G077EF01 ,  5F003BA27 ,  5F003BB01 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BM01 ,  5F003BP31 ,  5F045AB02 ,  5F045AB05 ,  5F045AB06 ,  5F045AB07 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD13 ,  5F045AE23 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045CA02 ,  5F045DA58 ,  5F045DB02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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