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J-GLOBAL ID:200903023175701260

混成集積回路装置およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995036751
Publication number (International publication number):1996236979
Application date: Feb. 24, 1995
Publication date: Sep. 13, 1996
Summary:
【要約】【目的】輻射ノイズに対するシールド効果を改善した基板を本体としたパッケージを有する混成集積回路装置およびその製造方法を提供する。【構成】ガラスエポキシ等の絶縁性材料による基板1の表面から凹部11が形成され、凹部11を囲む基板の表面に表面導体層7が形成され、基板の裏面に裏面導体層9が形成され、凹部11内に回路素子14が載置され、表面導体層7および裏面導体層9に接続した側面メッキ膜13が凹部11の外側を完全に取り囲んで形成されている。そして、基板の側面には個々の基板に分離した切断部分を具備し、切断部分において表面から内部導体層8に達する表面削り加工溝6と裏面から内部導体層8に達する裏面削り加工溝4を有し、側面メッキ膜13が表面削り加工溝6の側壁および裏面削り加工溝4の側壁に形成されており、裏面削り加工溝4の外側の前記基板の箇所に切断面10を有する。
Claim (excerpt):
絶縁性材料による基板の表面から凹部が形成され、前記凹部を囲む前記基板の表面に表面導体層が形成され、前記基板の裏面に裏面導体層が形成され、前記凹部内に回路素子が載置された混成集積回路装置において、前記表面導体層および前記裏面導体層に接続した側面メッキ膜が前記凹部の外側を完全に取り囲んで形成されていることを特徴とする混成集積回路装置。
IPC (5):
H05K 9/00 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 1/11 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/46
FI (6):
H05K 9/00 R ,  H05K 1/03 610 B ,  H05K 1/11 F ,  H05K 3/18 Z ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 N
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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