高集積度大面積LCDディスプレイ用TFTパネルとその製造方法並びに液晶ディスプレイ装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高崎芳紘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995147852
Publication number (International publication number)：1997005782
Application date： Jun. 14, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】【目的】 TFT駆動のアクティブマトリクス型LCDディスプレィに関し、LCDディスプレィ用TFTパネルの製造に際してスループット及び歩留まりを高めて低価格化をはかり、またアドレス配線抵抗を低くして高画質の大面積高集積度LCDディスプレィを得ることを目的とする。【構成】本発明はゲート電極線、ドレーン電極線、ゲート電極、ソース/ドレーン電極の全てを金属Nbによって形成したTFTパネルを提供する。特にガラス基板サイズが一辺300mm以上、厚み1mm以下の大面積薄板型に適用される。金属Nbの比抵抗は25μΩcm以下、ガラス基板上のNb膜応力が400MPa以下であるようにNb膜が形成される。残留ガス圧力1×10-6Torr以下、導入ガス圧力2-5×10-3Torr、パワー密度5W/cm2以上、基板温度90°C以上で直流マグネトロンスパッタリングによりNb膜が形成される。

Claim (excerpt)：

透明絶縁基板と、その上に互いに直交し且つ交差部が電気的に絶縁されるようにして配設された複数本のゲート電極線及びドレーン電極線と、隣接する一対の前記ゲート電極線及びドレーン電極線に囲撓された各領域の前記交差部近傍に設けられ且つそのゲート電極とドレーン電極がそれぞれ前記ゲート電極線とドレーン電極線に接続された複数個の薄膜トランジスタ(TFT)と、前記各領域において前記TFTに隣接して配設され且つ前記TFTのソース電極と接続された複数個の透明画素電極と、前記透明絶縁基板上の周辺部に配設された液晶駆動回路と、前記透明絶縁基板上の各配線及び各素子をすべて覆うように配置された保護性絶縁膜と、その上に配設された液晶(LCD)配向膜と、から成り、前記ゲート電極線、ドレーン電極線、ゲート電極及びソース/ドレーン電極がすべて金属Nbによって形成されていることを特徴とする高集積度大面積LCDディスプレイ用TFTパネル。

IPC (4)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1343 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1343 , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 616 K , H01L 29/78 617 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-219031 Applicant：シヤープ株式会社
薄膜トランジスタ及びそれを用いた液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-188126 Applicant：株式会社日立製作所
特開平3-283469

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