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J-GLOBAL ID：200903098694430479

有機薄膜トランジスタ装置

Inventor：
アナンス ドダバラプア

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ロバート コート ハッドン

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ハワード エダン カッツ

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ルイザ トーシ

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Applicant, Patent owner：
エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション

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Agent (1)： 三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995345004
Publication number (International publication number)：1996228034
Application date： Dec. 08, 1995
Publication date： Sep. 03, 1996
Summary：
【要約】【課題】 ソース-ドレイン電流のオン/オフ比の改善を含む、改善された特性を有する有機TFTデバイスを実現する。【解決手段】 本発明は、従来の有機薄膜トランジスタ(TFT)よりも高いソース/ドレイン電流オン/オフ比を有する改善された有機TFTを有する。本発明のTFT20は、p型第一有機材料層16(例えばα-6T)に加えて、第一材料層に接触したn型第二有機材料層21(例えばAlq)を含む。実施例は、バイアス条件に依存してn型チャネルあるいはp型チャネルトランジスタとして用いられ得る有機TFTである。ある実施例では、本発明のトランジスタは、15nm厚のα-6T(115)およびその上部に40nm厚のC60(116)を有する。後者は、適切な電気的不活性な層によって、外気による劣化から保護されている。
Claim (excerpt)：
(a)ある量の有機材料と、(b)前記ある量の有機材料と接触していて互いに分離された第一および第二コンタクト手段(12、13)と、(c)前記第一および第二コンタクト手段とは分離されていて、印加される電圧によって前記第一コンタクト手段と第二コンタクト手段の間を流れる電流を制御する第三コンタクト手段(14)とからなる有機薄膜トランジスタを含む有機薄膜トランジスタ装置において、(d)前記ある量の有機材料が第一導電型を有する第一有機材料層(16)と第二導電型を有する第二有機材料層(21)とから構成されており、前記第二有機材料が少なくとも前記第一コンタクト手段と第二コンタクト手段の間のある領域において前記第一有機材料と接触していることを特徴とする有機薄膜トランジスタ装置。
IPC (2)：
H01L 51/00 ,  H01L 29/786
FI (2)：
H01L 29/28 ,  H01L 29/78 618 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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