プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000278160
Publication number (International publication number)：2002093784
Application date： Sep. 13, 2000
Publication date： Mar. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】平行平板型ECRプラズマ処理装置において、連続して均一な状態が確保できるプラズマ密度領域を拡大する。【解決手段】ソレノイドコイル17により形成される第1の磁場形成手段に対し、第2の磁場形成手段18を導入し、この第1および第2の磁場形成手段による合成磁場で平面板2表面での磁力線方向の分布を制御し、磁場と電磁波の相互作用量分布を制御する。これにより、高密度プラズマ形成時においてもプラズマ均一性を確保でき、低密度から高密度の広い領域にわって連続したプラズマ形成が可能となり、高密度条件による高速加工を含む広範なプラズマ条件での処理を可能とするプラズマ処理装置を実現する。

Claim (excerpt)：

処理容器内に被処理基板を載置する処理台と、前記被処理基板と対面する位置で電磁波を放射する平面板と、前記処理容器の外部又は内部にあって前記電磁波と相乗して所定のガスをプラズマ化するための磁場を形成する第1の磁場形成手段と、前記平面板の近傍にあって前記第1の磁場形成手段による磁場とは別の磁場を形成する第2の磁場形成手段とを具備し、前記第1の磁場形成手段による磁場と前記第2の磁場形成手段による磁場との合成により、前記平面板の近傍における磁力線方向を制御するよう構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (3)：

H05H 1/46 M , H05H 1/46 C , H01L 21/302 B

F-Term (24)：

5F004AA01 , 5F004AA05 , 5F004BA08 , 5F004BA09 , 5F004BA14 , 5F004BB07 , 5F004BB11 , 5F004BB28 , 5F004CA03 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB00 , 5F004DB01 , 5F004DB03 , 5F004DB09 , 5F004DB10 , 5F004DB23 , 5F004EB01 , 5F004EB03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

ドライエッチング装置および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-010172 Applicant：株式会社日立製作所
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-300039 Applicant：株式会社日立製作所

Cited by examiner (2)

ドライエッチング装置および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-010172 Applicant：株式会社日立製作所
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-300039 Applicant：株式会社日立製作所

Return to Previous Page