プラズマ処理装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996300039
Publication number (International publication number)：1997321031
Application date： Nov. 12, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】ドライエッチングにおいて、高速、高選択比、高アスペクト加工、長期間安定なエッチング特性を達成する。【解決手段】 UHF帯電源104による電磁波で電子サイクロトロン共鳴現象を用いてプラズマを形成し、さらに電磁波を被加工試料110に対面する位置に配置した円形導体板107から放射させ、かつ前記円形導体板107の材質をシリコンまたはグラファイトとする。【効果】 UHF帯電源104を用いてプラズマを形成することで、低ガス圧高密度でも低解離なプラズマが形成でき、反応の制御性が向上する。さらに電磁波放射機能を兼ねる円形導体板107上でのプラズマとの反応により、有効活性種を増加できる。

Claim (excerpt)：

容器と、前記容器内に反応ガスを導入する手段と、前記容器内のガスを排気する手段と、前記容器内に設けられ被加工物を設置するための台と、前記容器内に設けられ、プラズマを発生するための電磁波を放射する平面板とを有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (2)：

H01L 21/302 C , H05H 1/46 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

RF・ECRプラズマエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-029613 Applicant：日本電気株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-122978 Applicant：日本電気株式会社, 日本高周波株式会社, 日電アネルバ株式会社
プラズマ発生方法及びプラズマ発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-351189 Applicant：松下電器産業株式会社

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