ドライエッチング装置および半導体装置の製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999010172
Publication number (International publication number)：2000208496
Application date： Jan. 19, 1999
Publication date： Jul. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】ドライエッチングにおいて高異方性、低ゲート破壊率の加工を達成する。【解決手段】真空の内外を分離する誘電体2の大気側の面に設置されたマイクロストリップライン4にUHF電力を供給することによって発生した電磁波と磁場のECR共鳴によってプラズマを生成し、このプラズマにより導電膜のドライエッチングを行う。【効果】安定で均一なプラズマを作ることができる。

Claim (excerpt)：

処理室と、前記処理室内に設けられた、被加工物を設置するための試料台と、前記処理室内のガスを排気する排気手段と、前記処理室内にガスを導入する手段と、UHF電源と、前記UHF電源と接続されたアンテナと、前記アンテナと前記処理室とを分離する分離板とを有することを特徴とするドライエッチング装置。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

FI (2)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 A

F-Term (35)：

4K057DA16 , 4K057DA20 , 4K057DB06 , 4K057DB20 , 4K057DD03 , 4K057DD08 , 4K057DE01 , 4K057DE06 , 4K057DE14 , 4K057DE20 , 4K057DM16 , 4K057DM22 , 4K057DM23 , 4K057DM29 , 4K057DM37 , 4K057DN01 , 5F004AA01 , 5F004AA16 , 5F004BA14 , 5F004BA16 , 5F004BB07 , 5F004BB11 , 5F004BB18 , 5F004BB28 , 5F004BC08 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA16 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB02 , 5F004DB07 , 5F004EA07 , 5F004EA28 , 5F004EB02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-300039 Applicant：株式会社日立製作所
マイクロ波プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-208774 Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立エンジニアリングサービス
マイクロ波プラズマを使用するプロセス装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-326824 Applicant：株式会社日立製作所

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Cited by examiner (11)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-300039 Applicant：株式会社日立製作所
マイクロ波プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-208774 Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立エンジニアリングサービス
マイクロ波プラズマを使用するプロセス装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-326824 Applicant：株式会社日立製作所

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