基板処理方法及びその装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：渡邉勇 , 堀田信太郎 , 小杉良二 , 森友宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003148326
Publication number (International publication number)：2004356117
Application date： May. 26, 2003
Publication date： Dec. 16, 2004
Summary：

【課題】たとえ層間絶縁膜として機械的強度が脆弱な材料を用いた場合であっても、微細配線の多層配線構造を有する半導体装置等をより高い歩留りで製造できるようにする。【解決手段】表面に配線用の微細凹部3,4を形成した基板Wを用意し、基板Wの表面にめっきにより金属膜6を成膜して該金属膜6を微細凹部3,4内に埋込み、基板の非有効領域に形成された金属膜6、及び基板の有効領域に形成された余剰の金属膜6を除去し、この金属膜除去後の基板Wの表面を化学機械的研磨により平坦化する。【選択図】図8

Claim (excerpt)：

表面に配線用の微細凹部を形成した基板を用意し、基板の表面にめっきにより金属膜を成膜して該金属膜を前記微細凹部内に埋込み、基板の非有効領域に形成された金属膜、及び基板の有効領域に形成された余剰の金属膜を除去し、この金属膜除去後の基板表面を化学機械的研磨により平坦化することを特徴とする基板処理方法。

IPC (2)：

H01L21/3205 , H01L21/306

FI (3)：

H01L21/88 K , H01L21/88 M , H01L21/306 F

F-Term (45)：

5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH14 , 5F033HH32 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ14 , 5F033JJ32 , 5F033KK01 , 5F033LL06 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ19 , 5F033QQ32 , 5F033QQ37 , 5F033QQ47 , 5F033QQ48 , 5F033QQ53 , 5F033QQ73 , 5F033QQ91 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033RR29 , 5F033XX00 , 5F033XX01 , 5F033XX03 , 5F033XX19 , 5F033XX24 , 5F043AA26 , 5F043BB18 , 5F043DD14 , 5F043DD16 , 5F043FF01 , 5F043FF07 , 5F043GG03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

配線形成装置及びその方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-197328 Applicant：株式会社荏原製作所
半導体基板製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-050916 Applicant：株式会社荏原製作所, 株式会社東芝
埋込配線層の形成方法及び噴流式スピンエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-176546 Applicant：富士通株式会社

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