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J-GLOBAL ID：200903090343915718

配線形成装置及びその方法

Inventor：
松田 尚起

About 松田 尚起


Applicant, Patent owner：
株式会社荏原製作所

About 株式会社荏原製作所


Agent (1)： 渡邉 勇 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001197328
Publication number (International publication number)：2002343797
Application date： Jun. 28, 2001
Publication date： Nov. 29, 2002
Summary：
【要約】【課題】 CMP処理そのものを省略したり、CMP処理の負荷を極力低減しつつ、銅を埋込んで銅配線を形成する一連の銅配線形成工程を連続的に行えるようにした配線形成装置及び方法を提供する。【解決手段】 基板の表面に銅を成膜して該銅を微細窪み内に埋込んだ銅配線を形成する配線形成装置であって、ハウジング10の内部に、基板を搬送する搬送経路25を設け、この搬送経路25に沿って、銅めっき処理部12、電解または化学研磨処理部18,20及びアニール処理部16を配置した
Claim (excerpt)：
基板の表面に銅を成膜して該銅を微細窪み内に埋込んだ銅配線を形成する配線形成装置であって、ハウジングの内部に、基板を搬送する搬送経路を設け、この搬送経路に沿って、銅めっき処理部、電解または化学研磨処理部及びアニール処理部を配置したことを特徴とする配線形成装置。
IPC (12)：
H01L 21/3205 ,  C23F 1/00 103 ,  C23F 1/00 104 ,  C23F 3/06 ,  C25D 5/48 ,  C25D 7/12 ,  C25F 3/22 ,  C25F 3/30 ,  C25F 7/00 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304
FI (12)：
C23F 1/00 103 ,  C23F 1/00 104 ,  C23F 3/06 ,  C25D 5/48 ,  C25D 7/12 ,  C25F 3/22 ,  C25F 3/30 ,  C25F 7/00 M ,  H01L 21/288 Z ,  H01L 21/304 622 N ,  H01L 21/304 622 Q ,  H01L 21/88 M
F-Term (57)：
4K024AA09 ,  4K024AB01 ,  4K024AB15 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024BC10 ,  4K024CA01 ,  4K024DB01 ,  4K024DB10 ,  4K024GA02 ,  4K024GA16 ,  4K057WA04 ,  4K057WB04 ,  4K057WE04 ,  4K057WF04 ,  4K057WK01 ,  4K057WK06 ,  4K057WM11 ,  4K057WM13 ,  4K057WM18 ,  4K057WN01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB17 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD64 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104FF22 ,  4M104HH12 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ46 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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